Techverse.asia - Samsung Electronics baru-baru ini mengumumkan bahwa mereka telah mengembangkan HBM3E 12H, DRAM HBM3E 12-stack pertama di industri dan produk HBM berkapasitas tertinggi hingga saat ini.
Baca Juga: Saramonic Blink 500 B2 Plus Resmi Dirilis, Mikrofon dengan Sistem 4-in-1
HBM3E 12H dari Samsung menyediakan bandwidth tinggi sepanjang masa hingga 1.280 gigabyte per detik (GB/s) dan kapasitas terdepan di industri sebesar 36 gigabyte (GB). Dibandingkan dengan HBM3 8H 8-stack, kedua aspek tersebut telah meningkat lebih dari 50 persen.
“Industri penyedia layanan kecerdasan buatan (AI) semakin membutuhkan HBM dengan kapasitas lebih tinggi, dan produk HBM3E 12H baru kami telah dirancang untuk menjawab kebutuhan tersebut,” ungkap Yongcheol Bae sebagai Executive Vice President of Memory Product Planning Samsung Electronics dikutip, Rabu (28/2/2024).
“Solusi memori baru ini merupakan bagian dari upaya kami untuk mengembangkan teknologi inti untuk HBM tumpukan tinggi dan memberikan kepemimpinan teknologi untuk pasar HBM berkapasitas tinggi di era AI,” lanjutnya.
Baca Juga: Samsung Galaxy Ring Dipamerkan di MWC 2024, Ada Ukuran S hingga XL
HBM3E 12H menerapkan film non-konduktif kompresi termal canggih (TC NCF), yang memungkinkan produk 12 lapis memiliki spesifikasi ketinggian yang sama dengan produk delapan lapis untuk memenuhi persyaratan paket HBM saat ini.
Teknologi ini diperkirakan akan memberikan manfaat tambahan terutama dengan tumpukan yang lebih tinggi karena industri berupaya mengurangi pembengkokan cetakan chip yang disebabkan oleh cetakan yang lebih tipis.
Samsung juga terus menurunkan ketebalan bahan NCF-nya dan mencapai kesenjangan antar chip terkecil di industri sebesar tujuh mikrometer (µm), sekaligus menghilangkan kekosongan antar lapisan. “Upaya ini menghasilkan peningkatan kepadatan vertikal lebih dari 20 persen dibandingkan dengan produk HBM3 8H,” jelasnya.
TC NCF canggih dari Samsung juga meningkatkan sifat termal HBM dengan memungkinkan penggunaan tonjolan dalam berbagai ukuran di antara chip.
Selama proses pengikatan chip, tonjolan yang lebih kecil digunakan di area untuk memberi sinyal dan tonjolan yang lebih besar ditempatkan di tempat yang memerlukan pembuangan panas. Metode ini juga membantu menghasilkan produk yang lebih tinggi.
Seiring dengan pertumbuhan aplikasi AI secara eksponensial, HBM3E 12H diharapkan menjadi solusi optimal untuk sistem masa depan yang membutuhkan lebih banyak memori.
Kinerja dan kapasitasnya yang lebih tinggi akan memungkinkan pelanggan mengelola sumber daya mereka dengan lebih fleksibel dan mengurangi total biaya kepemilikan (TCO) untuk pusat data.
Baca Juga: Samsung Galaxy Fit 3: Fitness Tracker untuk Memahami Kesehatan
Ketika digunakan dalam aplikasi AI, diperkirakan, dibandingkan dengan mengadopsi HBM3 8H, kecepatan rata-rata pelatihan AI dapat ditingkatkan sebesar 34 persen sementara jumlah pengguna layanan inferensi secara bersamaan dapat ditingkatkan lebih dari 11,5 kali lipat.
Samsung telah mulai mencicipi HBM3E 12H kepada pelanggan dan produksi massal dijadwalkan pada paruh pertama tahun ini.
DRAM1 DDR5 32-gigabit
Sebelumnya, pada 2023 lalu, Samsung juga telah mengembangkan DRAM1 DDR5 32-gigabit (Gb) berkapasitas tertinggi dan pertama di industri menggunakan teknologi proses kelas 12 nanometer (nm). Pencapaian ini terjadi setelah Samsung memulai produksi massal DRAM DDR5 16Gb kelas 12nm pada Mei 2023.
Baca Juga: Penelitian InMobi: 3 dari 5 Konsumen Indonesia Siap Habiskan Rp3 Juta untuk Belanja Ramadan 2024
Hal ini memperkuat kepemimpinan Samsung dalam teknologi DRAM generasi berikutnya dan menandai babak berikutnya dalam memori berkapasitas tinggi.
Pengembangan DRAM1 DDR5 32Gb, perusahaan memiliki solusi untuk mengaktifkan modul DRAM hingga 1TB. Sehingga memungkinkan Samsung untuk melayani kebutuhan DRAM dengan kapasitas tinggi yang terus meningkat di era gempuran kecerdasan buatan atau Artificial Intelligence (AI).