Samsung Mulai Produksi Massal DRAM LPDDR5X, Ultra-Tipis!

Samsung Electronics mulai memproduksi massal paket DRAM LPDDR5X 12 gigabyte (GB) dan 16GB tertipis di industri. Langkah ini digadang-gadang bakal memperkuat kepemimpinan Samsung di pasar DRAM berdaya rendah.

Dengan memanfaatkan keahlian perusahaan yang luas dalam pengemasan chip, Samsung mampu menghadirkan paket DRAM LPDDR5X ultra-tipis yang dapat menciptakan ruang tambahan dalam perangkat seluler, sehingga aliran udara menjadi lebih baik.

Hal ini mendukung kontrol termal yang lebih mudah. Pengendalian panas pada perangkat adalah faktor yang menjadi semakin penting, terutama untuk aplikasi berkinerja tinggi dengan fitur-fitur canggih seperti kecerdasan buatan (AI) pada perangkat.

Wakil Presiden Eksekutif Perencanaan Produk Memori di Samsung Electronics, YongCheol Bae, mengatakan bahwa DRAM LPDDR5X Samsung menetapkan standar baru untuk solusi AI pada perangkat berkinerja tinggi. Produk ini tidak hanya menawarkan kinerja LPDDR yang unggul, tetapi juga manajemen termal canggih dalam paket yang sangat ringkas.

"Kami berkomitmen untuk terus berinovasi melalui kolaborasi erat dengan pelanggan kami, memberikan solusi yang memenuhi kebutuhan masa depan pasar DRAM berdaya rendah," tuturnya, di keterangan tertulis yang diakses Rabu (7/8/2024).

Dengan paket DRAM LPDDR5X baru ini, Samsung menawarkan DRAM LPDDR kelas 12 nm tertipis di industri dalam struktur 4 tumpuk. Ini mengurangi ketebalan sekitar 9%, dan meningkatkan ketahanan panas sekitar 21,2%, bila dibandingkan dengan produk generasi sebelumnya.

Dengan mengoptimalkan teknik papan sirkuit cetak (PCB) dan senyawa cetak epoksi (EMC), paket DRAM LPDDR baru ini hanya setipis kuku jari, yakni 0,65 milimeter (mm), yang tertipis di antara DRAM LPDDR yang ada saat ini, yang berkapasitas 12 GB atau lebih.

Proses back-lapping yang dioptimalkan Samsung juga digunakan untuk meminimalkan tinggi paket.

Samsung berencana untuk terus memperluas pasar DRAM berdaya rendah, dengan memasok DRAM LPDDR5X 0,65 mm ke produsen prosesor seluler serta produsen perangkat seluler.

Karena permintaan akan solusi memori seluler berperforma tinggi dan berdensitas tinggi dalam ukuran paket yang lebih kecil terus meningkat, perusahaan berencana untuk mengembangkan modul 6 lapis 24 GB dan 8 lapis 32 GB ke dalam paket DRAM LPDDR tertipis untuk perangkat masa depan.

Urusan chip, awal tahun ini, Samsung Electronics juga telah mengembangkan HBM3E 12H, DRAM HBM3E 12-stack pertama di industri.

HBM3E 12H dari Samsung menyediakan bandwidth tinggi sepanjang masa hingga 1.280 gigabyte per detik (GB/s), dan kapasitas terdepan di industri sebesar 36 gigabyte (GB). Dibandingkan dengan HBM3 8H 8-stack, kedua aspek tersebut telah meningkat lebih dari 50%.

HBM3E 12H dirancang untuk menjawab kebutuhan industri penyedia layanan AI, yang semakin membutuhkan HBM dengan kapasitas lebih tinggi.

Seiring dengan pertumbuhan aplikasi AI secara eksponensial, HBM3E 12H diharapkan menjadi solusi optimal untuk sistem masa depan yang membutuhkan lebih banyak memori.

Kinerja dan kapasitasnya yang lebih tinggi akan memungkinkan pelanggan mengelola sumber daya mereka dengan lebih fleksibel dan mengurangi total biaya kepemilikan (TCO) untuk pusat data.

HBM3E 12H, menerapkan film non-konduktif kompresi termal canggih (TC NCF), yang memungkinkan produk 12 lapis memiliki spesifikasi ketinggian yang sama dengan produk delapan lapis untuk memenuhi persyaratan paket HBM saat ini.

Baca Juga: Hyptec SSR, Supercar dari AION

Pada 2023 lalu, Samsung juga telah mengembangkan DRAM1 DDR5 32-gigabit (Gb) berkapasitas tertinggi dan pertama di industri menggunakan teknologi proses kelas 12 nanometer (nm).

Pencapaian ini terjadi setelah Samsung memulai produksi massal DRAM DDR5 16Gb kelas 12nm pada Mei 2023.

Pengembangan DRAM1 DDR5 32Gb, perusahaan memiliki solusi untuk mengaktifkan modul DRAM hingga 1TB. Sehingga, memungkinkan Samsung untuk melayani kebutuhan DRAM dengan kapasitas tinggi yang terus meningkat di era gempuran AI.